原因也很簡單，在當(dāng)前的應(yīng)用環(huán)境8GB內(nèi)存都不嫌多，哪里還有額外空間供你虛擬閃存？此外，同一時間僅有一款游戲可以運行在基于RAMDISK技術(shù)的極速模式下，想切換其他游戲時必須等待一定的時間讓極速模式掛載完成 。
閃存內(nèi)存合二為一
作為手機內(nèi)部最占用PCB主板空間的“大戶”，內(nèi)存（包括隱藏在其下面的SoC）和閃存的體型都不小，如果能將這顆存儲芯片也和處理器內(nèi)存摞在一起，不就可以更加節(jié)省主板空間了嗎？2020年底，美光發(fā)布的uMCP5閃存技術(shù)就有望實現(xiàn)這個夢想 。
簡單來說，uMCP5是全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，在單顆芯片內(nèi)就完整集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封裝格式，最大可選12GB 256GB容量 。其中，該產(chǎn)品LPDDR5內(nèi)存的部分支持6400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率，UFS3.1閃存部分的編程/擦寫循環(huán)次數(shù)可達到5000次 。
總之，美光uMCP5的出現(xiàn)，可以進一步提升手機的存儲密度，節(jié)省內(nèi)部空間、成本和功耗，而我們也期待這種“二合一”的存儲芯片可以早日在手機領(lǐng)域量產(chǎn)，并有機會用于筆記本等其他計算設(shè)備領(lǐng)域 。
小結(jié)
作為影響手機性能輸出的“鐵三角”，閃存和內(nèi)存的重要性不次于處理器，因此每次它們的技術(shù)革新，都會帶來切實的實際體驗提升 。希望大家今后在選購手機時，可以將目光多多投向這兩個領(lǐng)域的優(yōu)化和升級上 。

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