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前言
對于初學設計硬件電路的同學來說，EMI、EMC、EFT及ESD是什么？基本是不清楚的，但腦海里有一些比較模糊的概念，今天我們就來梳理下具體的內容，為工作或工程中遇到的問題打下理論基礎。
在了解四者的概念之前，我們一定要先了解國際電工委員會制定的相關的國際標準：
（1）IEC 61000-4-2, 這個標準定義了ESD是靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD），而這個標準規定了靜電放電抗擾度測試內容。
（2）IEC 61000-4-4，這個標準定義了EFT是電氣快速瞬變（Electrical Fast Transient,EFT）,這個標準規定了電氣快速瞬變突發抗擾度測試。
（3）IEC 61000-4-5，這個標準定義了電磁干擾（Electromagnetic interference，EMI）和電磁兼容性（Electromagnetic Compatibility，EMC）雷擊/浪涌抗擾度測試。
01 ESD
靜電放電（ESD）測試有不同的電壓要求，一般的MCU、數字IC都夠保證滿足2kV人體模型（Human Body Model，HBM），但是對于與IC之間遠距離連接的外部設備，如USB設備、以太網設備、LCD設備、通信設備來說，具有更高的要求等級。IEC 61000-4-2電壓嚴重性測試級別有四級，接觸放電2kV、4kV、6kV、8kV，空氣放電2kV、4kV、8kV、15kV 。引起靜電放電的的因素主要是環境因素，器件工作周圍處在高壓電場范圍內、人體接觸、空氣電離等。
ESD有效的抑制手段有：
（1）瞬態電壓抑制器
（2）PCB有效設計
（3）鐵氧體磁珠
（4）RC、LC和C濾波器
02 EFT
電氣快速瞬變（EFT）出現的因素有：

電源突然中斷引起感性負載瞬變突發
交流線路斷路器打開或斷開引起的電火花
雷擊
電弧
開關電源高開關電流回路大

EFT對硬件電路的以下模塊產生較大影響：

電源、接地信號
復位信號
邊沿敏感出發信號
高阻態信號
模擬信號
外部通信信號
CPU
RAM

EFT的抑制手段：
（1）電源抑制器：金屬氧化物變阻器（Metal Oxide Varistor，MOV）
（2）共模扼流器
（3）鐵氧體磁珠
（4）PCB 設計
（5）電容濾波器
（6）雙絞線電源線
（7）瞬態電壓抑制器（TVS）
03 EMI/EMC
電磁干擾（EMI）一般是內部或外部源產生的干擾，通過電磁感應、靜電耦合、傳導來影響器件設備的正常工作。電磁兼容涉及電磁能的產生、傳播、接收，將會對工作電路引起電磁干擾正常工作。

輻射引起電磁干擾
來源于電線、變壓器、電感輻射的磁場
雷擊引起的電磁浪涌
高速信號反射
高速時鐘
傳導，傳輸信號時，傳導路徑引起的傳導發射，如電纜線之間。

因此，在硬件電路設計中需要考慮這些因素使自己的電路完美的工作。
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