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我們一般能在內(nèi)存條（SDRAM）的標(biāo)簽上的可以看到型號和參數(shù) 。型號是內(nèi)存條廠商自己定義的，不同廠商的定義規(guī)則不一致，一般可以通過型號識別內(nèi)存參數(shù)；同時在內(nèi)存條標(biāo)簽上同樣會標(biāo)識參數(shù) ，參數(shù)的定義基本遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) ，可以直觀的識別內(nèi)存的性能。有些廠商不會在內(nèi)存條上打印參數(shù) ，對識別內(nèi)存性能帶來一些困難。本文主要講解內(nèi)存參數(shù)的識別。
正常的表示方法遵百思特網(wǎng)循如下格式：“容量內(nèi)存顆粒數(shù) 代數(shù)-速率(標(biāo)識) 時延電壓” ，如4GB 2Rx8 PC3-1200S-11-11-E3

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內(nèi)存容量數(shù)字越大說明臨時存儲越大，常見的有16GB、8GB、1GB、512MB、256MB等。
內(nèi)存顆粒數(shù) 內(nèi)存顆粒數(shù)表示內(nèi)存顆粒的數(shù)量和焊接面數(shù) ，格式為aRxb ，如2Rx8 。1R代表只有單面有內(nèi)存顆粒， 2R代表兩面都有內(nèi)存顆粒；x8代表每面的內(nèi)存顆粒數(shù) 。2Rx8代表單面有8個內(nèi)存顆粒，共有16個。
內(nèi)存代數(shù) 目前為止市場上常見的內(nèi)存主要為DDR內(nèi)存，共有五代。表示方式為PC1、PC2、PC3、PC4、PC5 。不同代數(shù)之間內(nèi)存是不兼容的，不能混用，在金手指插口處做了防呆處理，不同的代數(shù)金手指處防呆口的位置不一致。
如后面帶有L ，則代表低壓版本，如PC3L 。

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防呆口的設(shè)計
內(nèi)存速率 12800= 1600 x 8 ，內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率為1600MHz 。
PC2-12800也稱為DDR2-1600
內(nèi)存標(biāo)識在內(nèi)存頻率后面有時會有字母，如5300F 。
U代表為UDIMM內(nèi)存
R代表為RDIMM內(nèi)存
P代表為RDIMM 的ECC內(nèi)存
E代表為ECC內(nèi)存，錯誤檢查和糾正技術(shù) ，全稱為Error Checking and Correcting 。需要主板主持，用于服務(wù)器電腦。
F、FB代表為Fully Buffered ECC內(nèi)存，與非F內(nèi)存不兼容，防呆口位置不一致。用于服務(wù)器電腦。
S代表SO-DIMM
RDIMM: 全稱（Registered DIMM），寄存型模組，主要用在服務(wù)器上，為了增加內(nèi)存的容量和穩(wěn)定性分有ECC和無ECC兩種，但市場上幾乎都是ECC的。
UDIMM：全稱（Unbuffered DIMM），無緩沖型模組，這是我們平時所用到的標(biāo)準(zhǔn)臺百思特網(wǎng)式電腦DIMM ，分有ECC和無ECC兩種，一般是無ECC的。
SO-DIMM：全稱（Small Outline DIMM），小外型DIMM ，筆記本電腦中所使用的DIMM ，分ECC和無ECC兩種。
Mini-DIMM：DDR2時代新出現(xiàn)的模組類型，它是Registered DIMM的縮小版本，用于刀片式服務(wù)器等對體積要求苛刻的高端領(lǐng)域。

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時延（Latency） 4-4-4百思特網(wǎng)-8代表時延的四個參數(shù)CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD ，數(shù)據(jù)越小代表延時時間越小。
CL為時序， CL9代表時序值為9 。
電壓如1.35V為電壓值

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