7月19日美國媒體報道，美國派出代表勸說荷蘭和日本加強出口到中國的高端半導體設備的監(jiān)管和限制，這次對象是“落后一代”也是中芯國際目前正在使用的第四代“DUV光源-Arf”光刻機（90nm芯片制程） 。
如果DUV光刻機真的被禁售了，中國還有能力造出好的芯片嗎？下面來分析一下
咱們先來看光刻機的工作原理簡化圖
光刻機簡化圖
第一步：特定光源射入光刻機“內(nèi)部結(jié)構(gòu)”（為了容易看懂，故將結(jié)構(gòu)分開） 。
第二步：光線經(jīng)過“鏡頭”處理后，將集成電路信息刻到擺“臺”的圓晶（特指硅基圓晶）上 。
這次美國要求禁售“DUV”光刻機，那么我們先拋開“內(nèi)部結(jié)構(gòu)”、“鏡頭”、“工作臺”不講，單說如果美國人禁售成功后，就光源而言，我國能制造出多少nm的芯片 。
首先，我們簡單看一下光源
光源
從上圖看，小伙伴們是否能基本明白光源所對應的光刻機代數(shù) 。
光源與芯片（硅基圓晶）的關(guān)系可以看成：刻刀與石板的關(guān)系，想要在石板上刻更多的內(nèi)容，那么刻刀越小越好，越精細越好
光刻機從開始到現(xiàn)在，已經(jīng)發(fā)展到了5代，我們最為熟悉的荷蘭“ASML（阿斯麥）”公司制造的光刻機屬于第五代光刻機，它使用的EUV極紫外光源（也叫遠紫外光源），是目前最先進的光源，從理論上講，使用這類光源的光刻機，能將芯片最小制程做到2nm（限制于硅基圓晶的物理特性） 。
到目前為止，能真正制造用于光刻機上的EUV極紫外光源的公司只有一家：美國的“Cymer”公司，該公司于2012年被ASML收購后被要求只能為ASML供貨 。我國哈工大（這也是為啥哈工大被美國制裁的原因）也已經(jīng)研制出EUV極紫外光源，但是咱們的DPP-EUV光源功率才接近12瓦，正真離能用在光刻機上的250瓦還有很大很大一段距離（AMSL第五代光刻機在其他部件齊備的情況話，等這個250瓦的光源整整等了13年） 。
第五代光刻機離我們還很遙遠，今天講一講美國游說歐洲和日本，準備禁售我們目前正在使用的第四代“DUV”光刻機的光源 。
相對于ASML極紫外光源的5nm制程，我國目前上微電子“DUV光源-Arf”光刻機屬于第四代光刻機（有“干刻”與“浸沒式刻”之分），制程為90nm（干刻），如果經(jīng)過多次曝光能刻65納米芯片，但良品率及低、成本高，基本不能商用，使用浸沒式（浸沒液需要進口）工藝能做到45納米，然后在浸沒式工藝的前提下，使用雙工作臺（工作臺我國已經(jīng)達到國際先進水平）等技術(shù)，能刻到28納米……，目前咱們已經(jīng)能做到12nm制程的芯片，7nm的也已經(jīng)開始試制，未來不久應該就能出成品，這里說明咱們在芯片的生產(chǎn)工藝上已經(jīng)沒問題了，可問題是中芯國際目前正在用的光刻機國產(chǎn)配件占有率僅僅10%左右，海外配件占了90%，如果美國這次游說歐洲與日本成功的話，我們還能做到這個水平嗎？下面做個分析 。
我們還是從第四代光刻機需要的“DUV光源”說起 。上微電子使用的是“DUV光源-Arf”光源，目前能生產(chǎn)“DUV光源-Arf”光源的只有三家公司分別為：美國Cymer、日本Gigaphoton和中國的北京科益虹源光電公司，但是北京科益虹目前只能制造40瓦的ArF干式光刻機光源（芯片制程為90nm），新一代60瓦的ArF浸沒式光刻機（芯片制程應該為7-90nm）還在技術(shù)攻關(guān) 。因此，目前上微電子的“DUV光源-Arf”光源應該是日本Gigaphoton提供的 。
所以結(jié)論是，如果美國人的游說成功的話，單從光源看，我國能夠生產(chǎn)的芯片制程為“90nm”，但是呢情況也不能太樂觀，因為“DUV光源-Arf”光源里面涉及的東西太多了，難免有些電器原件需要海外進口 。

以上關(guān)于本文的內(nèi)容，僅作參考！溫馨提示：如遇健康、疾病相關(guān)的問題，請您及時就醫(yī)或請專業(yè)人士給予相關(guān)指導!

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