1、氮化鎵是氮和鎵的化合物 , 是一種直接能隙的半導(dǎo)體 , 自1990年起常用在發(fā)光二極管中 。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦 , 硬度很高 。氮化鎵的能隙很寬 , 為3.4電子伏特 , 可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn) , 是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料 , 并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起 , 被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料 。
2、氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力 , 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景 。其實(shí)說白了就是氮化鎵充電器充電功率更高 , 體積比傳統(tǒng)同功率充電更小 , 看起來會(huì)更精致一些 , 但是同樣的價(jià)格也更貴 。
3、傳統(tǒng)的普通充電器 , 它的基礎(chǔ)材料是硅 , 硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料 。但隨著硅的極限逐步逼近 , 硅的開發(fā)也到了一定的瓶頸 , 許多廠商開始努力尋找更合適的替代品 。加之隨著快充功率的增大 , 快充頭體積也就更大 , 攜帶起來非常不方便;一些大功率充電器長(zhǎng)時(shí)間充電還容易引起充電頭發(fā)熱;因此 , 尋找新型的代替材料就更加迫切 。氮化鎵充電器就是在這樣的環(huán)境下誕生的 。
4、氮化鎵充電器其實(shí)只是利用了氮化鎵材料的特性 , 電源適配器從根本上降低了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗 , 讓轉(zhuǎn)換器擁有更高的開關(guān)頻率 , 同時(shí)減小變壓器的尺寸 , 提升轉(zhuǎn)化效率 , 同時(shí)發(fā)熱減少了 , 散熱材料可以進(jìn)一步縮減 , 電源適配器的整體尺寸自然也可以做得更小 , 轉(zhuǎn)換效率還更高 。
5、理論上氮化鎵充電器在發(fā)熱方面控制得會(huì)更好一些 , 但是在一些實(shí)際的使用過程中發(fā)現(xiàn) , 氮化鎵充電器比普通充電器的發(fā)熱量更大 , 可能是因?yàn)轶w積減少的緣故吧 。綜合來看 , 氮化鎵似乎并沒有帶來什么質(zhì)的飛躍 , 雖然性能上確實(shí)厲害一點(diǎn) , 但犧牲了發(fā)熱 , 最重要的是體積重量與價(jià)格上并沒有傲視群雄 ?,F(xiàn)在市面上氮化鎵充電器普遍比同類型的普通充電器貴50%以上 。
6、氮化鎵充電器最主要的成本來自于MOS功率芯片 , 昂貴的原材料直接導(dǎo)致了消費(fèi)級(jí)氮化鎵充電器價(jià)格偏高 , 目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊 。不過隨著越來越多廠商參與進(jìn)來 , 相信技術(shù)會(huì)越來越成熟 , 成本下降只是時(shí)間問題 。
7、隨著用戶對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高 , 未來氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模將快速上升 。就整個(gè)消費(fèi)電子行業(yè)的情況來看 , 氮化鎵已經(jīng)在全球主流的消費(fèi)電子廠商中得到了關(guān)注和投入 , 氮化鎵也正在伴隨充電器快速爆發(fā) 。綜合性能和成本兩個(gè)方面 , 氮化鎵也有望在未來成為消費(fèi)電子領(lǐng)域快充器件的主流選擇 。
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