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隨著5G時代來臨,智能手機從外在形態(tài)到內(nèi)部配置均有改變 。其中,外觀變化最明顯的是全面屏,而配置的變化除處理器外,以存儲和內(nèi)存最具代表性——2019年開始,UFS 3.0逐漸被旗艦機采用,到2020年搭載LPDDR5內(nèi)存則成為趨勢,2021年,LPDDR5+UFS 3.1已經(jīng)成了旗艦機的內(nèi)置存儲標配 。
要說起今年旗艦機尤其是5G手機最火的“標準配置”之一是什么,那么UFS 3.1一定占得一席 。
毋庸置疑,硬件升級能夠顯著改善使用體驗,只不過相比處理器、基帶、攝像頭而言,用戶對于存儲更新帶來的體驗變化或許沒有那么“敏感”,這是不是意味著存儲的重要性不如其它硬件?當然不是 。
8月,西部數(shù)據(jù)發(fā)布了全新的移動存儲產(chǎn)品——西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件,可以說這款新存儲產(chǎn)品要容量有容量、要性能有性能,相信在日后的旗艦手機中,一定會經(jīng)常見到它的身影 。
簡單了解一下西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件相關信息——
1. 容量從128GB至512GB,在手機內(nèi)部空間寸土寸金的今天,該顆粒封裝尺寸僅為11.5×13×1mm,為手機OEM廠商提供了更大的設計空間 。
2. 支持UFS 3.1 Gear 4/2 通道,在iNAND SmartSLC Gen6智能緩存加速技術支持下,性能強悍,最高順序?qū)懭敫哌_ 1550MB/s 。相比上一代產(chǎn)品,隨機讀取性能提升約100% ,隨機寫入性能提升約40% 。
3. 另外,還有Write Booster技術、Host Performance Booster 2.0技術以及寫入壽命優(yōu)化技術加持,讓這顆存儲顆??瓷先ギ惓姾?。
西部數(shù)據(jù)這款iNAND 系列移動存儲產(chǎn)品并非一味追求大容量,而是保證夠用容量的前提下,在性能表現(xiàn)上絲毫不妥協(xié) 。
同時西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還嚴格遵守了關于JEDEC標準三項重要指標,分別是:
Write Booster:SLC非易失性緩存,可提高寫入速度 。
DeepSleep:一種新的UFS設備低功耗狀態(tài),目標是與其他功能共享UFS穩(wěn)壓器的低成本系統(tǒng) 。
性能限制通知:當存儲性能因高溫而被限制時,UFS設備可以通知主機 。
手機存儲對于5G時代下的手機來說,更容易感知到的就是在實際操作中,這些優(yōu)勢主要體現(xiàn)在多任務執(zhí)行響應速度更快、玩游戲的延遲更低畫面更流暢、照片寫入時間更短和帶來更佳的省電效果等方面 。
手機越用越卡的核心原因是長時間頻繁使用閃存,導致閃存硬件性能下滑,反應的最后結(jié)果是閃存讀寫性能下滑 。針對手機越用越卡的情況,西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件也有一定優(yōu)勢,其內(nèi)部的HPB性能提升系統(tǒng)利用手機RAM來緩解閃存的硬件壓力,提升性能,解決閃存長時間時候后性能衰減的問題,解決手機越用越卡的問題 。
對于更依賴隨機讀寫操作的手機設備來說,HPB功能可以顯著提高使用體驗 。
在西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件發(fā)布會上,西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學紅表示,全新發(fā)布的iNAND MC EU551嵌入式閃存產(chǎn)品已經(jīng)送測多家設備廠商,未來也會根據(jù)客戶的實際需求進行量產(chǎn) 。
西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳女士;
西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學紅先生
西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳女士在最后也表示:“只有存儲設備的性能不斷發(fā)展,才能更好地滿足網(wǎng)速提升帶來的改變,如果單純的網(wǎng)速提升,而手機存儲設備沒辦法跟上的話,那就談不上更好更快的體驗了 。”
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