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多地氣溫持續(xù)上升，夏天也離我們不遠了，手機處理器能耗比再次成為手機圈的熱議話題，其中，來自聯(lián)發(fā)科的全新的天璣8100/9000芯片，憑借優(yōu)秀的臺積電制程工藝和出色的能耗比，性能強悍且功耗發(fā)熱低，續(xù)航表現(xiàn)較搭載了新一代驍龍8的機器更好，今天要介紹的這三臺手機即采用了最新的天璣8100/9000芯片。
OPPO Find X5 Pro天璣版：首發(fā)天璣9000開年頂級旗艦
第一部是OPPO Find X5 Pro天璣版，其首發(fā)了天璣9000芯片，采用了一體流線機身設計，標志性的“環(huán)形山”后置攝像頭模式設計，讓這臺手機的辨識度拉滿，陶瓷材質(zhì)的后殼手感溫潤細膩，配置前后雙曲面設計，拿在手里舒服極了。
Find X5 Pro天璣版支持多次迭代升級后的Hyperboost全鏈路游戲穩(wěn)幀技術，通過機器學習AI算法，保證你在游戲的各種關鍵場景下的幀數(shù)的穩(wěn)定表現(xiàn)，讓你不僅能獲得較高的平均幀數(shù)，最重要的是快要保證全程高幀流暢，無明顯卡頓感。
除了手機本身性能出色之外，F(xiàn)ind X5 Pro天璣版還能配合OPPO與武漢大學聯(lián)合研發(fā)的——使用Glacier Mat新型材料制成的冰膚散熱保護殼。該散熱殼可以通過吸收空氣中的水分，在手機發(fā)熱時通過水分蒸發(fā)帶走手機背板的熱量，使得機身兩小時內(nèi)可下降2~5℃，兩小時后仍然可以擁有下降0.5~1.1℃的水平，最重要的是握持手機游玩游戲時的手感仍然相對冰涼，既能優(yōu)化散熱和保護手機，還能保證你的游戲游戲體驗。
真我GT Neo3：搭載天璣8100芯片且支持150W光速秒充的性能旗艦
第二臺是采用了天璣8100芯片的真我GT Neo3，天璣8100芯片采用了4顆A78大核與4顆A55小核，在性能與功耗方面都可以做到更好的平衡，而真我GT Neo3在搭載了這顆芯片的基礎上，還配備了LPDDR5與UFS3.1高速閃存，額外配備的獨立顯示芯片也帶來了智能插幀、和更低的GPU功耗，使得手機在游戲性能提升的同時大大降低了圖形計算的功耗。
散熱方面，真我GT Neo3擁有39606mm2的散熱面積，是真我手機產(chǎn)品中有史以來最大的散熱面積，并且采用了九層散熱結構，其中還有散熱性能優(yōu)秀的金剛石凝膠。
真我GT Neo3還是首次搭載了150W秒充功能的手機產(chǎn)品，5分鐘即可充至50%，而即使是在手機充至85%以上電量的時候，充電功率仍然可以保持35W以上，既能讓手機電池保持健康，又能保證快速充滿手機電量，據(jù)真我官方宣稱，真我的高壽命電池充電算法，可提供1600次完整充放電循環(huán)，有效容量不低于80%的超長壽命，遠遠高出業(yè)界標準。
Redmi K50系列：高性能2K超清直屏年度旗艦
Redmi K50首發(fā)了天璣8100處理器芯片，并采用了T型VC液冷散熱板設計和7層石墨架構，存儲性能方面則采用了滿血LPDDR5與全新UFS3.1閃存，硬件性能方面有強力的基本保障。而K50 Pro則采用了年度旗艦天璣9000處理器芯片，采用了更加先進的臺積電4nm工藝，能帶來更高的性能上限。
軟件上，K50系列則支持多項自研調(diào)校技術，可帶來更加穩(wěn)定的游戲幀數(shù)、更強的后臺駐留能力、文件拷貝速度與更智能的功耗模式。
K50系列最讓人驚艷的莫過于超清超細膩的2K直屏，分辨率達3200×1440，PPI高達526，擁有超高對比度與刷新率，色準、色域覆蓋與峰值亮度的表現(xiàn)方面也令人十分詫異，可以說是2000元檔位手機的最好屏幕。

這三款采用了天璣新芯片的手機在性能上都擁有非常出色的表現(xiàn)，其中，F(xiàn)ind X5 Pro天璣版在影像、手機質(zhì)感等眾多方面都是旗艦機的頂級水準表現(xiàn)；真我GT Neo3則擁有目前市面上最快的手機充電速度；Redmi K50系列可選兩種新天璣芯片且擁有素質(zhì)超高的三星2K屏幕；如果你喜歡面面俱到的頂級旗艦，那么Find X5 Pro無疑是最適合你的選擇；而想要高性價比的高能旗艦真我與紅米的這兩款機器都是非常不錯的選擇，想要更快的充電速度可選擇真我，而想要更好的屏幕，K50系列會是更好的選擇。

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