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華為有性能爆表、功耗優(yōu)秀且自主研發(fā)而來的麒麟芯片；
vivo 有服務(wù)于專業(yè)影像計算系統(tǒng)的 V1 影像芯片；
臨近發(fā)布的 OPPO FIND X5 會帶來其首款自研的 NPU 芯片 —— 馬里亞納 MariSilicon X;
至于小米，為了實現(xiàn)手機上的 120W 單電芯技術(shù)，自主研發(fā)了澎湃 P1 充電芯片。
這對于小米來說本來是一件值得驕傲的事，但最近卻 “出事” 了。
前不久，有一名微博用戶發(fā)布推文，寫著澎湃 P1 配上一個微笑的表情，配文下方是一張澎湃 P1 芯片與南芯半導(dǎo)體芯片的晶圓絲印對比，從圖中可以看到，兩者幾乎一模一樣。
對此就有網(wǎng)友留言表示，澎湃 P1 芯片是買來的。
隨著謠言的進(jìn)一步擴(kuò)散，事件方的另一位主角，南芯半導(dǎo)體看不過去了，在當(dāng)天就發(fā)表了官方聲明。
官方表示，小米澎湃 P1 芯片為小米自研設(shè)計、南芯半導(dǎo)體代工（內(nèi)部代號 SC8561）。這款芯片具備超高壓 4:1 充電架構(gòu)，實現(xiàn)了 120W 單電芯充電。
支持 1：1、2：1 和 4：1 的轉(zhuǎn)換模式，所有模式均可雙向?qū)ǎ蓪崿F(xiàn)有線 120W、無線 50W、無線反充等多種充電功能。
同時官方還在聲明中稱，南芯半導(dǎo)體此前曾在 2021 年 9 月推出代號為 SC8571 的芯片。該芯片為超高壓 4：2 充電架構(gòu)，同樣可以實現(xiàn) 120W 雙電芯充電。
小米自研的澎湃 P1 芯片與南芯 SC8571 在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上完全不同，是不同設(shè)計、不同功能、不同定位的兩顆充電芯片。
簡單點來說就是澎湃 P1 由小米自主研發(fā)設(shè)計，南芯負(fù)責(zé)代工。這就好比蘋果 A15 是由臺積電負(fù)責(zé)代工，高通驍龍 8 Gen 1 芯片由三星代工，是一個道理。
其次，充電芯片不像手機的 SOC，需要集成通信基帶、GPU 圖形處理器、ISP 圖像處理器、NPU 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器等等，難度相較而言沒有那么大。
而小米作為一家市值接近 4000 億港元（之前突破了 4000 億但又跌落下來了）的科技公司，想做好一個充電芯片也是沒有問題的，就算用錢砸也能砸出來。
所以關(guān)于自研芯片這件事，小米沒必要搬起石頭砸自己的腳，給自己留下不必要的信任危機和把柄。
我們再來說說充電芯片這件事，其實 120W 目前已經(jīng)見怪不怪了，也不是小米獨有。
和小米合作代工的南芯半導(dǎo)體，就曾在 2021 年 9 月推出代號為 SC8571 的芯片。該芯片為超高壓 4：2 充電架構(gòu)，同樣可以實現(xiàn) 120W 雙電芯充電。
但是，小米這顆澎湃 P1 芯片還是要更勝一籌的。它是行業(yè)首次實現(xiàn) “120W 單電芯” 充電技術(shù) 。而之前都是采用的串聯(lián)雙電芯。
小米表示，過去的單電芯快充體系中，要把輸入手機的 20V 電壓轉(zhuǎn)換成可以充入電池的 5V 電壓，需要 5 個不同種電荷泵的串并聯(lián)電路。
大量的電荷泵和整體串聯(lián)的架構(gòu)會帶來很大的發(fā)熱量，實際使用中完全無法做到長時間滿功率運行，更難以做到 120W 高功率快充。
驅(qū)動小米 120W 澎湃秒充的核心是兩顆小米自研智能充電芯片：澎湃 P1 。它們接管了傳統(tǒng)的 5 電荷泵復(fù)雜結(jié)構(gòu)，將輸入手機的高壓電能，更高效地轉(zhuǎn)換為可以直充電池的大電流。
澎湃 P1 作為業(yè)界首個諧振充電芯片，擁有自適應(yīng)開關(guān)頻率的 4:1 超高效率架構(gòu)，諧振拓?fù)湫矢哌_(dá) 97.5%，非諧振拓?fù)湫蕿?96.8%，熱損耗直線下降 30%。
澎湃 P1 本身承擔(dān)了大量的轉(zhuǎn)換工作：傳統(tǒng)電荷泵只需要兩種工作模式（變壓、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 轉(zhuǎn)換模式，并且所有的模式都需要支持雙向?qū)?。

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