內(nèi)存卡屬于閃存flash類型的產(chǎn)品 。
閃存是以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元，其結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)牛╢loating gate）”和“控制柵（Control gate）” 。浮動(dòng)?xùn)庞糜谫A存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合 。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí)，NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0；而當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?，存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1 。包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住” ， 達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的 。
【內(nèi)存卡如何存儲(chǔ)信息】如果要寫入數(shù)據(jù) ， 就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走，令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài)，只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫入動(dòng)作 ， 但這個(gè)過程需要耗費(fèi)較長的時(shí)間，導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存 ， 其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度 。

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