首先搞清楚四個(gè)基本概念、晶體、非晶體、單晶、多晶 。直拉法制備單晶硅原理：將多晶硅通過熱場(chǎng)加熱 ， 融化成熔融狀態(tài)，通過控制熱場(chǎng)將液面溫度控制在結(jié)晶的臨界點(diǎn)，通過液面上方的單晶籽晶從液面向上提拉，溶硅隨著籽晶的提拉上升按照籽晶的晶向生長(zhǎng)出單晶硅圓 。
【直拉法制備單晶硅的原理】硅的單晶體 。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體 。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料 。純度要求達(dá)到幾乎百分之百，甚至以上 。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等 。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成 。

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