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第一代半導(dǎo)體以硅為代表，技術(shù)最成熟，應(yīng)用最為廣泛。典型例子，華為麒麟9000 ，蘋果A14處理器。
第二代以砷化鎵，銻化銦等化合物為代表，主要運(yùn)用在光電子、微波、功率器件等領(lǐng)域，比如生活中大家都會用到的各種溫控開關(guān) 。
第三代半導(dǎo)體又稱寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵和碳化硅為代表，目前處于發(fā)展期，在功率器件、光電子等領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用，就是我們經(jīng)常會用到的開關(guān)電源，也是到最近幾年，氮化鎵在功率器件上取得突破性進(jìn)展。
這種工業(yè)電源領(lǐng)域的革命性技術(shù) ，通過手機(jī)充電器，首先成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品落地，進(jìn)入消費(fèi)級市場， Oppo、小米、華為等廠家接連推出氮化鎵充電器，小巧輕便，攜帶方便，功率更高，就連蘋果也忍不住了，馬上也要推出氮化鎵快充產(chǎn)品。
其實(shí)我們對氮化鎵功率半導(dǎo)體的需求無處不在，從充電器、新能源汽車到發(fā)電廠，都需要氮化鎵芯片來高效的控制和轉(zhuǎn)換電能、5G基站、衛(wèi)星通信和軍用雷達(dá)等場景也會進(jìn)一步推動氮化鎵市場的增長， 2025年氮化鎵市場規(guī)模會超過100億美元。
目前氮化鎵功率芯片的賽道上中美同樣你追我趕，主要競爭來源于三大芯片廠商，美國的納微半導(dǎo)體powerintegration和珠海的英諾賽科。
其中英諾賽科在2017年就啟動了全球首條八英寸硅基氮化鎵器件的量產(chǎn)線，還有中國電科13所研制的氮化鎵功率器件取得了突破性進(jìn)展，已經(jīng)在國產(chǎn)相控陣?yán)走_(dá)上得到應(yīng)用。
未來，從萬噸大驅(qū)、隱身戰(zhàn)機(jī)到預(yù)警機(jī)都會陸續(xù)采用國產(chǎn)氮化鎵器件的軍用雷達(dá)裝置，雖然第三代氮化鎵只是補(bǔ)充無法替代硅基半導(dǎo)體，但這次中美站在同一個(gè)起跑線上，相信通過舉全國之力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ，我們一定會實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。
年中報(bào)凈利潤4.00億同比大增1306.52%
市凈率16.59 ，每股凈資產(chǎn)2.94 ，總市值821.04億
公司已建成6英寸的硅基氮化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線，涵蓋材料生長、器件研發(fā)、GaN電路研發(fā)、封裝、系統(tǒng)應(yīng)用的全技術(shù)鏈。
年中報(bào)凈利潤1.26億同比大增68.60%
市凈率24.65 ，每股凈資產(chǎn)14.32 ，總市值1761.68億
公司可以提供第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，其中碳化硅方面，可以提供長晶爐、外延爐、刻蝕、高溫退火、氧化、PVD、清洗機(jī)等設(shè)備，氮化鎵方面可以提供刻蝕、PECVD、清洗機(jī)等設(shè)備。
年中報(bào)凈利潤1.23億同比大增105.21%
市凈率9.06 ，每股凈資產(chǎn)3.64 ，總市值243.86億
公司與中科院電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)的是以Sic、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，具有耐高壓、耐高溫、高速和高效等優(yōu)點(diǎn) ，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置。
年中報(bào)凈利潤8576.3萬同比大增77.13%
市凈率2.63 ，每股凈資產(chǎn)5.07 ，總市值165.32億
在保持公司在LED領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和競爭力的同時(shí) ，公司持續(xù)加大產(chǎn)品研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，積極布局第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域，發(fā)力GaN基電力電子器件領(lǐng)域。

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