富士通(確切地說是富士通半導體內(nèi)存解決方案有限公司)今天宣布，推出全新的8Mb FRAM內(nèi)存，容量翻番，并支持并行接口，讀寫壽命第一次做到了100萬億次！
FRAM就是鐵電存儲器，一種隨機存取存儲器，擁有SRAM、DRAM級別的讀取速度和壽命，而且是非易失性的，斷電不丟失數(shù)據(jù) 。

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它的缺點是容量密度做不大，因此不可能徹底取代DRAM、SRAM，但在一些對容量沒有過高要求、對壽命/速度敏感的場景和設備上非常合適，尤其是高速工業(yè)場景 。
其實，鐵電存儲技術(shù)不是新鮮玩意兒，1921年就有了這一概念 。雖然直到1993年才由美國RAmtron公司開發(fā)出第一個4Kb FRAM產(chǎn)品，但近些年來已經(jīng)得到了廣泛應用 。


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富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具備兼容SRAM的并行接口，供電電壓范圍1.8-3.6V，擁有超長讀寫壽命的同時，比以往產(chǎn)品訪問速度快了約30％，快頁模式下訪問速度僅25ns，持續(xù)傳輸率媲美SRAM 。
同時功耗也更低，最大寫入電流只需18mA(毫安)，最大待機電流更是150uA(微安)，分別降低了10％、50％，
它采用了44針的TSOP封裝，和上代4Mb FRAM一樣保持兼容，還新增了48針的FBGA封裝 。
富士通8Mb FRAM內(nèi)存現(xiàn)已供評估樣品，量產(chǎn)時間未公布 。


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